오늘은 요즘 화제가 되고 있는 일본 수출규제 품목인 반도체 소재 관련주를 알아보려고 합니다.
알아보기에 앞서 반도체가 대략 어떻게 만들어지는지 알아보겠습니다.
https://samsungsemiconstory.tistory.com/95
자세한 내용은 위에 " 삼성 반도체 이야기"를 참고 하시면 됩니다.
웨이퍼란? 반도체 직접회로의 핵심재료라고 합니다.
웨어퍼라는 얇은 기판에 다수의 동일한 회를를 접목시켜서 직접회로를 만든다고 합니다.
결국 웨이퍼는 쉽게 생각해보면 피자 토핑을 올리기 전 도우를 일컫는 말이며
재료는 실리콘(SI),갈륨 아 세나이드(GAas)등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 얇게
썰어놓은 원판을 의미한다고 합니다.
한마디로 둘레가 30cm정도 되는 실리콘 기둥(잉곳,ingot)을 얇게 썰어 놓은
모양으로 생각하시면 됩니다. 아래그림을 참조하세요..
웨이퍼는 모래에서 추출한 규소이며 규소는 실리콘이라고 합니다.
웨이퍼는 반도체 8대 공정의 처음이기 때문에 웨이퍼가 없다면 반도체를 생산
할 수 없습니다. 반도체를 만드는 가장 기초적인 재료 웨이퍼 및 오늘은
반도체 제조 공정에 필요한 관련주들을 찾아보겠습니다.
8대 공정은 아래와 같습니다.
1. 웨이퍼 만들기 2. 산화공정 3. 포토공정 4. 식각 공정 5. 박막 증착 공정
6. 금속배선 공정 7.EDS 공정 8. 패키징 공정
2. 산화공정: 웨이퍼에 여러 물질로 얇은 막을 고온(800~1,200℃)이나 산소나 수증기를
통하여 웨이퍼 표면에 뿌려 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성하여
불순물 침투로 인한 표면보호를 하는 공정입니다.
3. 포토공정: 웨이퍼에 회로를 그리는 작업을 의미합니다. 웨이퍼의 표면에
감광액(Photo Resist)을 고루 바르고 노광장비를 통하여 패턴이 입혀진
마스크위에 빛을 통과시켜서 회로를 그려 넣게 됩니다.
4. 식각 공정: 포토공정이 끝나고 필요 없는 부분을 제거하는 공정이 식각 공정입니다.
건식 식각과 습식 식각이 있습니다.
5. 박막 공정: 박막이란 기계가공으로는 실현 불가능한 (1 마이크로미터(μm, 100만 분의 1미터)
이하의 얇은 막을 말합니다. 화학반응을 이용해 균일한 표면을 만들고 불순물을
주입하는 이온 공정을 통해서 부도체인 웨이퍼가 전기적 특성을 갖게 만드는
공정입니다.
6. 금속배선공정: 도체(전기가 통함) 부도체 (전기가 통하지 않음)
반도체의 회로도를 따라서 금속선을 이어주는 과정입니다.
배선에 필요한 금속선은 구리(CU) 알루미늄(AI) 텅스텐(W) 등이 쓰인다고 합니다.
7.EDS 공정: 웨이퍼 한 장에서 나올 수 있는 정상적인 칩의 수를 수율( YIELD)라고 합니다.
전기적 특성검사를 통해서 각각의 칩들이 원하는 품질을 가지고
테스트하는 공정입니다.
8. 패키징 공정: 고온, 고습, 화학약품, 진동이나 충격 등 다양한 외부환경으로 보호를 하는 과정이며
단자 간 연결을 위한 금속 연결 공정입니다. 반도체 칩과 리드프레임(PCB) 간에
전기적인 특성을 위해 금선을 사용하여 연결하는 공정입니다.
패키지 테스트까지 거쳐야 반도체가 됩니다.
반도체 소재 관련 종목 중에 불화수소 관련 종목들과 감광액 관련 종목들이 있습니다..
반도체 디스플레이 패널의 미세회로를 깎아내며 반도체 공정에서 외부의 오염을 제거하기 위해
사용하는 것이 고순도 불화수소라고 합니다. 고순도 불화수소를 에칭 가스라고 하니 참조하시고요.
다음에는 일본 수출규제로 인한 수혜업종과 해당 종목을 알아보겠습니다.
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